Abscheidung

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  • Abscheidung

    In diesem Kapitel werden Methoden erläutert, mit denen diverse Schichten auf das Halbleitersubstrat aufgetragen werden. Die größte Bedeutung haben dabei Oxidschichten (siehe auch Oxidation), Schichten mit zusätzlichem Halbleitermaterial, sowie schließlich die Metallebenen zur Verdrahtung. Das Wachstum kann entweder kristallin (mit kontinuierlicher Kristallstruktur), polykristallin (mit Kristallordnung innerhalb von Bereichen geringer Ausdehnung) oder amorph (in ungeordneter Form) erfolgen.

    Mit dem Begriff Epitaxie (griechisch: „obenauf“) bezeichnet man dabei die Abscheidung unter regelmäßiger Fortsetzung des Kristallgitters des Substrates. Handelt es sich bei dem aufgetragenen Material um den gleichen Stoff, aus dem auch die Grundlage besteht, so spricht man von Homoepitaxie. Im Gegensatz dazu wird bei der Heteroepitaxie, bei der ein anderes Material abgeschieden wird. Grundsätzlich können bei Epitaxieverfahren in gewissen Grenzen auch unterschiedliche Materialschichten kombiniert werden, deren Kristallkonfigurationen sich normalerweise unterscheiden (dabei sind sogenannte verspannte Halbleiterstrukturen realisierbar, die wegen ihrer speziellen Leitungseigenschaften große Bedeutung haben).