Dotierung

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    Wie in den Grundlagen erläutert (Link Grundlagen Beeinflussung der Leitungseigenschaften durch Dotieren), ist die Technik der Dotierung, bei der Fremdstoffe in den reinen Halbleiter eingebracht werden um dessen Leitungseigenschaften zu beeinflussen, entscheidend für die Funktion nahezu aller Bauelemente. Neben einer Grunddotierung des kompletten Wafers, die durch Einbringung des Dotierstoffs in das Rohmaterial erreicht werden kann, ist zusätzlich eine gezielte Dotierung in begrenzten Bereichen mit dazu festgelegter Dicke erforderlich.

    Dazu wurden folgende Techniken entwickelt:

    Dotierung durch Diffusion
    Ionenimplantation
    Dotierung mit Legierung

    Die Dotierung durch Diffusion und die Ionenimplantation sind die heutzutage vorwiegend in der Produktion verwendeten Methoden. Das Dotieren mit Legierung hat in der Siliziumtechnologie keinen hohen Stellenwert mehr. Wir wollen uns daher vertieft mit den ersteren beiden Verfahren beschäftigen.