Zusammenfassung der Eigenschaften der Diffusionstechnik
Da viele Wafer parallel bearbeitet werden können, handelt es sich um ein relativ billiges Verfahren, das jedoch einige Nachteile mit sich bringt:
- Die Hochtemperaturbearbeitung beeinflusst in früheren Schritten eingebrachte Dotierprofile, die dabei weiter diffundieren.
- Verwirbelungen des Gasflusses können Schwankungen in der Dotierstoffkonzentration hervorrufen.
- Die Ausbreitung der Dotierstoffe bei der Diffusion erfolgt nicht nur senkrecht zur Oberfläche, so dass das Material auch unter die Ränder der Bereiche gelangt, die durch die Oxidmaske von der Dotierung ausgenommen bleiben sollen (siehe Abb. 22). Diese Tatsache muss bei der Schaltungsplanung einkalkuliert werden und setzt Grenzen bei der Schaltungsminiaturisierung.
Abb. 22: Eindringen des Dotierstoffes unter die Oxidmaske