Der Hersteller Cree hat sein Produktportfolio um die branchenweit ersten voll qualifizierten kommerziellen Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs erweitert. Die Produkte von Cree sind beim Distributor Arrow erhältlich.

Der CMF20120D wird in einem TO247-Gehäuse angeboten und erlaubt Sperrspannungen bis 1.200 V bei einem RDSon von nur 80 mΩ bei 25° C. Er eignet sich für Solar-Wechselrichter, Hochspannungs-Leistungsversorgungen und die Leistungskonditionierung bei zahlreichen industriellen Anwendungen.

Die Schaltgeschwindigkeiten sind höher oder entsprechen denen von Silizium-MOSFETs, Schaltverluste werden bei vielen Anwendungen um bis zu 50 Prozent gesenkt.
Solar-Wechselrichter sind nur ein Beispiel dafür, wie SiC-MOSFETs sowohl im Verstärker- als auch im Wechselrichter-Teil eines DC-/AC-Wechselrichters eingesetzt werden können. Schaltverluste werden mit SiC-MOSFETs um mehr als 30 Prozent gesenkt und in Verbindung mit den SiC-Schottky-Sperrdioden von Cree konnte ein Wirkungsgrad des Gesamtsystems von > 99 % nachgewiesen werden.