Anwendungen, die nichtflüchtige Speicher benötigen, werden oft immer noch mit EEPROMs oder Flash-Speichern ausgestattet, obwohl die ferroelektrischen RAMs (FRAMs) von Cypress als 1:1-Hardware-Replacements die bessere Alternative wären – vor allem in Applikationen mit sehr häufigen Schreibvorgängen und die einen langen Datenerhalt erfordern.

Die ferroelektrischen RAMs des Herstellers Cypress bieten im Vergleich zu herkömmlichen EEPROMs oder Flash-Speichern eine bis zu 500-fache Schreibgeschwindigkeit im Vergleich zu typischen EEPROMs, die Möglichkeit zum Beschreiben bei Standard-Versorgungsspannung, 100 Billionen (1014) Schreib-/Lesezyklen und 38 Jahre Datenerhalt bei 75°C Umgebungstemperatur.

Neu bei uns im Cypress FRAM-Programm sind vor allem weitere Ausführungen der seriellen SPI- und I²C-FRAMs im Miniatur-SMD-Gehäuse TDFN8 und das separate Angebot aller SO8- und TDFN8-Typen in gegurteter Aufmachung.

Die neuen FRAM-Ausführungen im Miniatur-SMD-Gehäuse TDFN8 (nur 4×4,5mm bzw. 5x6mm) reduzieren den Platzbedarf des FRAMs auf Ihrer Leiterplatte wesentlich. Die separate Bezugsmöglichkeit der Tape&Reel-Aufmachung bietet Ihnen deutliche Preisvorteile für größere Produktionsmengen und zugleich ergeben sich für Sie Vorteile bei der maschinellen Bestückung größerer Serien.

Mit unseren Neuaufnahmen bieten wir Ihnen nun fast das komplette FRAM-Angebot des Herstellers Cypress: Sie haben bei uns ab sofort die Auswahl aus seriellen SPI-FRAMs (Serie FM25_) in Speichergrößen von 512x8Bit bis 256kx8Bit und seriellen I²C-FRAMs (Serie FM24_) in Speichergrößen von 512x8Bit bis 128kx8Bit. Beide Serien erhalten Sie jeweils für Versorgungsspannungen von 5V, 2,7V oder 2V und in den Gehäusebauformen SO8 oder TDFN8 (wo verfügbar) – beide Bauformen wahlweise in Stangen- oder Gurt-Aufmachung

Ausführliche technische Daten, aktuelle Preise und Lagerbestände finden Sie hier.