Integrierter Schaltkreis

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Integrierter Schaltkreis

Ein Integrierter Schaltkreis (engl. integrated circuit, abgekürzt IC) ist ein Halbleiterbauelement, das aus vielen Transistoren und anderen Bauteilen auf der Oberfläche eines „Substrats“ besteht.

Als Substrat und gleichzeitig aktives Material wird bei der großen Mehrzahl (mehr als 90%) der integrierten Schaltkreise der Halbleiter Silizium verwendet. Für spezielle Anwendungen kommen auch andere Materialien zum Einsatz, wie Germanium oder Gallium-Arsenid. Für spezielle Anwendungen wird auch Silizium auf dem isolierenden Substrat Saphir verwendet (SOS = Silicon on Saphire).

Integrierte Schaltkreise werden industriell hergestellt. Die Herstellung erfolgt in speziellen Reinräumen, die stark gefilterte Luft mit extrem wenigen Staub-Partikeln enthält. Dies ist nötig, da selbst kleinste Staubpartikel (< 0.1µm = ca. halbe Größe eines AIDS-Virus) bereits den Ausfall eines kompletten Schaltkreises verursachen können.

Zunächst wird ein hochreines Silizium geschmolzen. Aus der Schmelze wird ein Kristall herausgezogen, so dass sich eine Stange ergibt. Diese Stange aus einem einheitlichen Kristall wird in dünne Scheiben zersägt, so genannte Wafer. Diese sind typischerweise zwischen 6 und 12 Zoll groß und werden durch verschiedene Prozesse, darunter Säure-, Schleif- und Polierprozesse möglichst eben und glatt gemacht. Heute lassen sich 12-Zoll-Wafer mit Dicken um 650 µm und TTV-Werten (TTV = Total Thickness Variation) unter 1 µm herstellen.

Auf diesen Wafern werden durch technische Prozesse (Aufbringen von Fotolack, Belichtung mit Licht sehr kleiner Wellenlänge, Ätzen, Dotieren, Aufbringen metallischer Verbindungen) die Strukturen der Schaltungen erzeugt, anschließend die Wafer in kleine rechteckige Stücke zersägt, genannt Die.

Ein integrierter Schaltkreis besteht aus mehreren Schichten dotierter Halbleiter oder Isolationsschichten. Diese werden in vielen Einzelschritten nacheinander fotografisch belichtet und entwickelt, die freiliegenden Stellen des so genannten Substrats werden dann weggeätzt, dotiert, oxidiert oder mit einer Leiterschicht überzogen.

Anfang der 1960er bestanden die integrierten Schaltkreise aus bis zu wenigen Dutzend Transistoren (Small-scale integration, SSI). Mit den Jahren wurden die Strukturen jedoch immer weiter verkleinert. Mit der medium-scale integration (MSI) fanden einige Hundert Transistoren, bei der large-scale integration (LSI) Anfang der 1970er einige Tausend Transistoren Platz auf einem Die.

Nun war es erstmals möglich, ganze CPUs auf einem Chip zu integrieren, was auch die Kosten für Computer extrem reduzierte. Anfang der 1980er folgte die very-large-scale integration (VLSI) mit einigen Hunderttausend Transistoren, mittels derer man schon bald 1 Megabyte RAM erstellen konnte. Aktuelle Prozessoren bestehen aus vielen Millionen Transistoren auf einer wenige Quadratzentimeter großen Fläche.

Vor der Entwicklung der Mikrochips wurden bei Logikschaltungen die Transistoren auf Platinen angebracht und gelötet. Bei einem Mikrochip werden die Transistoren nicht mehr gelötet, statt dessen wird der komplette Bauplan auf das Substrat aufgebracht, und stellen damit die Logikschaltung dar. Dies führte zu einer erheblich kleineren Form der Logikschaltungen, so dass diese als „Mikrochips“ bezeichnet wurden (RTL = Resistor-Transistor-Logic, DTL = Diode-Transistor-Logic, TTL = Transistor-Transistor-Logic).

Oft werden auch einfach die Plastikgehäuse der fertigen Schaltungen, die diese zum Schutz erhalten haben, als „Chips“ bezeichnet.




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