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MBE

war als weitere Produktionsmethode von Verbindungs-Halbleitern bis vor einigen Jahren erste Wahl in der Grundlagenforschung von Physikern, um sehr dünne Schichten zu erzeugen. Die Ausgangsmaterialien sitzen in Gefäßen innerhalb der Anlage bzw. des Reaktors und werden dann bei extrem niedrigem Druck – etwa ein Milliardstel von Normal – verdampft. Hintergrund: Je niedriger der Druck, um so niedriger auch die erforderliche Temperatur, bei der die Materialien verdampfen. Vorteil: Der extrem niedrige Druck sorgt gegenüber LPE für sehr große Reinheit bei der Produktion und damit bei den Halbleitern. Nachteil: Der Aufwand beim Herstellen des Vakuums ist sehr hoch, die Methode am kostspieligsten; die Produktion ist auf kleinere Volumina begrenzt. Außerdem lassen sich nicht alle Materialien per MBE herstellen.




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