Tunneldiode

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Tunneldiode

Die Tunneldiode, 1957 entdeckt von dem Japaner Leo Esaki – deshalb auch Esaki-Diode genannt, ist ein Hochfrequenz-Halbleiterbauelement. Sie besteht aus einem p-n-Übergang, bei dem beide Seiten stark dotiert sind. Eine Vielzahl kommerziell genutzter Tunneldioden werden aus einer n-dotierten Ge- oder GaAs-Schicht hergestellt, in die eine kleinere Schicht aus Indium einlegiert wird (auch Indiumpille genannt). Auch Si und GaSb wurden schon zur Herstellung genutzt, allerdings ist es bei Verwendung dieser Materialien schwierig, eine akzeptable Gütezahl (ein großes IP/IV Verhältnis) zu erreichen.Strom- Spannungscharakteristik einer TunneldiodeDie Dotierung der p- und der n- Seite wird so hoch gewählt, dass sie über den effektiven Zustandsdichten Nv und Nc liegen. Die Zustandsdichten liegen in Bereichen zwischen 1019 und 1021 cm-3. Somit sind die Halbleitergebiete entartet. Das Ferminiveau liegt im Leitungsband des n-Halbleiters und im Valenzband des p-Halbleiters. Das bedeutet, dass sich mit Elektronen besetzte und unbesetzte Bereiche auf (fast) gleichem Potenzial (Energieniveau) befinden, wodurch der Tunneleffekt eintritt. Wegen der hohen Dotierungen auf beiden Seiten ist die Breite der Sperrschicht W bei Nullvorspannung kleiner als 100 Å. Deswegen erreicht das elektrische Feld in dieser Region Werte von mehr als 106 V/cm. Die allgemeine Formel für die Sperrschichtbreite ist




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