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    Verbindungs-Halbleiter

    setzen sich aus mehreren Elementen zusammen. Sie unterteilen sich weiter in drei Untergruppen – entsprechend der Gruppe des Periodensystems, zu der die jeweiligen Elemente gehören: Die II-Ver bestehen in der Regel aus Zinkselenid, die IV-IVer aus den Verbindungen Siliziumgermanium bzw. aus Siliziumcarbid, die wegen ihrer vielseitigen Einsatzmöglichkeiten am weitesten benutzten III-Ver schließlich aus Galliumarsenid, Indiumphosphid oder Galliumnitrid bzw. Verbindungen aus drei oder vier Elementen. Gegenüber den einfachen Element-Halbleitern haben Verbindungs-Halbleiter mehrere Stärken: Damit gefertigte Bauelemente sind besonders schnell und können auch bei sehr hohen Temperaturen arbeiten. Und sie haben besonders gute optoelektronische Eigenschaften: Sie wandeln Energie in Licht und Laserstrahlen um oder detektieren Licht – produzieren daraus also Energie. Bei gleicher Leistung verbrauchen sie in der Regel weniger Energie als Silizium-Chips.