IR stellt 20V-, 25V- und 30V-MOSFETs im PQFN-Gehäuse für den Einsatz in
ORing-Anwendungen und in Motorantrieben vor

Dreieich, 10. Juni 2010 – Der Hersteller International Rectifier brachte eine Familie von HEXFET® Leistungs-MOSFETs auf den Markt, darunter den IRFH6200TRPbF, mit dem branchenweit niedrigsten Einschaltwiderstand (RDS(on)). Die MOSFETs von International Rectifier sind beim Distributor Arrow erhältlich. Bei den neuen Leistungs-MOSFETs, in denen IR´s modernste Siliziumtechnologie Verwendung findet, handelt es sich um die ersten Bausteine des Unternehmens, die in einem PQFN-Gehäuse von 5x6mm mit optimiertem Copper-Clip-and-Solder-Chip erhältlich sind. Der Baustein IRFH6200TRPbF bietet einen branchenweit führenden RDS(on)-Wert von nur 1,2 mOhm (max.) bei 4,5V Vgs, wodurch die Leitungsverluste in Gleichstrommotorantrieben, beispielsweise Elektrowerkzeugen, beträchtlich gesenkt werden können.

„Mit einer großen Tradition sowie der fortwährenden Verpflichtung zu einer Maßstäbe setzenden MOSFET-Technologie bleibt IR mit der Einführung einer MOSFET-Familie, die unsere jüngsten Siliziumgeneration mit der PQFN-Gehäusetechnologie kombiniert, um den niedrigsten RDS(on) der Branche zu liefern, auch künftig der Wegbereiter zu einer hervorragenden Performance“, sagte Doug Russell, Vice President des Geschäftsbereichs Power Management Devices von IR. „Darüber hinaus wird unsere Produkt-Roadmap als Reaktion auf die Anforderungen der Kunden im Laufe der kommenden Monate ein weitreichendes Portfolio von Benchmark-PQFN-MOSFETs liefern,“ fügte er hinzu.

Die Bausteine für 25V IRFH5250TRPbF und 30V IRFH53xxTRPbF wurden für DC-Schaltanwendungen wie beispielsweise ORing und DC-Motorantriebe entwickelt, die sowohl eine hohe Strombelastbarkeit als auch einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

Der IRFH5250TRPbF zeichnet sich durch einen ultra-niedrigen RDS(on) von 1,15 mOhm (max.) in Verbindung mit einer Gateladung (Qg) von lediglich 52 nC aus, während der IRFH5300TRPbF einen RDS(on) von nur 1,4 mOhm (max.) in Kombination mit einer Qg von 50 nC bietet.

Zusätzlich zu der Tatsache, dass sie eine ausgezeichnete thermische Performance erzielen, lassen sich im Vergleich zu bisher vorhandenen
Lösungen beim Einsatz der Bauteile IRFH6200TRPbF, IRFH5250TRPbF sowie IRFH53xxTRPbF, Einsparungen sowohl beim Platzbedarf auf der Leiterplatte als auch bei den Kosten erzielen, weil für eine niedrigere Verlustleistung auch weniger zusätzliche Komponenten benötigt werden.

Sämtliche Bausteine weisen einen niedrigen Wärmewiderstand auf (<0,5°C/W), sind nach MSL1 für den Industrieeinsatz geeignet und zudem RoHS-konform, sie enthalten weder Blei noch Bromid oder Halogen. Datenblätter und ein Applikationsbericht für die Bausteine stehen auf der Website unter https://www.irf.com/zur Verfügung.
Weitere Informationen unter:

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