Vishay Siliconix präsentiert den kleinsten und flachsten n-Kanal-Chipscale-Leistungs-MOSFET der Welt mit einer Grundfläche von nur 0,64 mm²
Der Hersteller Vishay hat sein Produktportfolio um den kleinsten und flachsten n-Kanal-Chipscale-Leistungs-MOSFET der Welt erweitert. Die MOSFETs von Vishay Siliconix sind beim Distributor Arrow erhältlich.

Vishay präsentiert den kleinsten und flachsten n-Kanal-Chipscale-Leistungs-MOSFET der Welt – das erste Bauteil dieser Art mit einer Grundfläche von weniger als 1 mm². Mit einer Grundfläche von nur 0,8 mm x 0,8 mm und einer Höhe von nur 0,357 mm ist der neue 20-V-Leistungs-MOSFET MICRO FOOT® Si8800EDB eine platzsparende Lösung für mobile elektronische Geräte.

Mobile Geräte werden mit jeder Produktgeneration kompakter. Weil Tastatur und Batterien in Relation zur Größe der Geräte immer mehr Platz beanspruchen, werden die Abmessungen der Elektronikbauteile zu einem kritischen Faktor. Der Si8800EDB ist um 36% kleiner und um 11% flacher als der nächstkleinste n-Kanal-Leistungs-MOSFET in Chipscale-Verpackung. Er ermöglicht dadurch die Entwicklung von kompakteren Endprodukten mit mehr Funktionen.

Die gehäuselose Chipscale-Verpackung des Si8800EDB erlaubt – bei gegebenen Außenabmessungen – eine größere Chip-Fläche, daraus resultiert ein extrem niedriger On-Widerstand pro Flächeneinheit. Der MOSFET bietet einen maximalen On-Widerstand von nur 80 mΩ bei 4,5 V, 90 mΩ bei 2,5 V, 105 mΩ bei 1,8 V und 150 mΩ bei 1,5 V Gate-Spannung.

Typische Anwendungen für das neue Bauteil sind: Lastschalter und Kleinsignalschalter in mobilen Geräten wie Mobiltelefone, PDAs, Digitalkameras, MP3-Player und Smart Phones. Der niedrige On-Widerstand des Si8800EDB trägt bei solchen Produkten zu einer längeren Akkulaufzeit bei.

Der Si8800EDB bietet eine typische ESD-Festigkeit von 1500 V, erfüllt die Anforderungen der RoHS Directive 2002/95/EC und ist halogenfrei nach IEC 61249-2-21.