Metalloxid-Feldeffekttransistor (MOSFET)

MOSFET ist die Abkürzung für Metal Oxide Semiconductor (auch: Silicon) Field Effect Transistor (engl. für „Metall-Oxid-Halbleiter-/-Silizium-Feldeffekttransistor“). Um der Tatsache Rechnung zu tragen, dass in modernen Prozessen kein Oxid unter dem Gate verwendet wird, wird auch die neutrale Bezeichnung MISFET für Metal insulator semiconductor FET oder IGFET für Insulated Gate FET verwendet.Verschiedene Schaltzeichen der MOSFET Varianten.Ein MOSFET ist ein spannungsgesteuerter Transistor. Er besitzt drei Anschlüsse (Elektroden): G (Gate), D (Drain), S (Source). Bei einigen Bauformen wird ein zusätzlicher Anschluss B (Substrat, engl. bulk) nach außen geführt. Meist ist bulk aber mit Source verbunden. Mit MOSFETs, die einen separaten Bulkanschluss besitzen, lassen sich zwischen Source und Drain kleinere Wechselspannungen steuern und schalten, wenn der Substratanschluss – im Falle von n-Kanal-MOSFET – negativer als die Wechselspannung gehalten wird.Die Spannung zwischen Gate und Source (bzw. zum Bulk) steuert den Stromfluß zwischen Drain und Source. Durch das Gate fließt dabei statisch theoretisch kein Strom. Allerdings ist zur Umladung der Gatekapazität ein teilweise erheblicher Lade- und Entladestrom in das Gate nötig, um bei Schalteranwendungen steile F Schaltflanken zu erzielen. Die MOSFET-Ansteuerung erfordert daher in der Leistungselektronik stromstarke Treiberstufen. Sie liefern oft kurzzeitig bis über 10 A.