MOCVD

Bei diesem Herstellungsverfahren von Verbindungs-Halbleitern werden die Ausgangsstoffe – metallorganische Verbindungen – außerhalb der Anlage in Gase umgewandelt und dann verbunden mit einem Trägergas in den Reaktor eingeführt. Die Verdampfung bzw. Umwandlung findet ebenfalls unter reduziertem Druck statt – bei rund einem Zehntel der normalen Atmosphäre. Vorteile: Die eingeführten Gase sind so sauber wie bei MBE und lassen sich hervorragend dosieren. MOCVD-Anlagen ermöglichen darüber hinaus die Produktion von wesentlich größeren Flächen – und sind deshalb erste Wahl bei den Herstellern von Halbleitern. MOCVD ist zudem die kostengünstigste Methode. AIXTRON ist Weltmarktführer in dieser Technologie.