Schottky-Diode

Im Gegensatz zum PN-Übergang einer normalen Diode wird eine Schottky-Diode (auch Schottky-Barriere oder Schottky-Kontakt genannt) durch einen Halbleiter-Metall-Übergang gebildet, der ebenfalls gleichrichtende Eigenschaften besitzt. Benannt ist sie nach dem deutschen Physiker Walter Schottky. Die gleichrichtenden Eigenschaften wurden erstmals 1874 von Ferdinand Braun beobachtet. Schottky-Dioden gehören zu den elektronischen Bauelementen. Anfangs bestanden diese Halbleiter-Metallübergänge aus punktförmigen Kontakten. Dazu wurde ein spitzer Metalldraht an einer Halbleiteroberfläche angebracht. Siehe bei Detektorempfänger zum Einsatz von Kristall-Detektoren in ähnlicher Technik. Diese Einheit stellte sich jedoch als sehr unzuverlässig heraus. Deswegen wurde der punktförmige Kontakt schließlich durch einen dünnen Metallfilm ersetzt.