Das Trockenätzverfahren, das sowohl anisotrope als auch isotrope Ätzung darunterliegender Schichten ermöglicht, kann die Struktur einer Maskierungsebene exakt auf eine beliebige darunterliegende Schicht übertragen. Im Gegensatz zum nasschemischen Verfahren kann dabei stets erreicht werden, dass das Material nicht unter den Maskenrändern abgetragen wird. Diese Voraussetzung ist essentiell für die Erzeugung hoch-miniaturisierter Strukturen, so dass der Einsatz dieser Technik trotz dem erhöhten Aufwand gerechtfertigt ist.
Der Ätzprozess erfolgt hier entweder durch gezielt beschleunigte Teilchen einer Gasumgebung oder durch die chemische Wirkung hochreaktiver Stoffe. Eventuell findet auch die Kombination beider Effekte statt. Im Folgenden werden nun die Verfahren Ionenstrahlätzen, Plasmaätzen und Reaktives Ionenätzen detailliert beschrieben.