Ionenimplantation

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  • Ionenimplantation

    Bei dieser Technik werden die Dotieratome im Gaszustand ionisiert um ihre Bewegung über elektrische und magnetische Felder zu kontrollieren und so einen kontrollierten Ionenstrahl zu beschleunigen, der dann auf den Wafer gerichtet wird. Die Ionen dringen je nach ihrer Energie in die Tiefe des Substrats ein. Ein Vorteil dieser Technik gegenüber der Diffusion besteht daher in der Möglichkeit der Wahl der eingebrachten Dosis und der dazu über die Ionengeschwindigkeit unabhängig regulierbaren Eindringtiefe. Auch hier werden Bereiche die ohne weitere Dotierung verbleiben sollen durch eine Maske ausgeblendet. In diesem Fall genügt eine Fotolackschicht, die bei geringen Temperaturen aufgebracht werden kann. Da die Ionenimplantation bei Raumtemperatur erfolgt, wird bei dieser Technik kein Verwischen bereits eingebrachter Dotierungsstrukturen riskiert.