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Nasse Oxidation

Dieser Oxidationsprozess wird als nass bezeichnet, da bei der Reaktion an der Siliziumoberfläche Wasserdampf beteiligt ist. Dazu wird purer Sauerstoff vor Eintritt in das Quarzgefäß durch ein Wasserbehältnis geblasen, so dass Wasserdampf in das Gas aufgenommen wird.

Auf dem Wafer findet daher zusätzlich folgende Reaktion statt, für die man die Temperatur um 1000°C wählt:

Si + 2H2O -> SiO2 + 2H2

Dadurch erreicht man schon bei geringen Temperaturen ein schnelles Oxidwachstum, mit minderwertigerer Qualität im Vergleich zur trockenen Oxidation, so dass diese Technik zum Beispiel zur Maskenerzeugung genutzt wird.