Die Eindringtiefe der Ionen hängt von der Richtung der Einstrahlung in Bezug zur Orientierung des Kristallgitters ab. Erfolgt die Einstrahlung parallel zu einer Achse entlang derer die Gitteratome mit kurzer Periode regelmäßig angeordnet sind (siehe Abb. 23), so ist dem auftreffenden Strahl nur ein schwaches Hindernis gesetzt. Bei diesem Effekt, den man Channeling nennt, bewegen sich die Ionen durch “Kanäle” des Kristalls, durch die sie unerwünscht tief in das Material vordringen können. Dies ist in der Regel bei senkrechter Einstrahlung auf den Wafer der Fall (Orientierung der Oberfläche in (100)- oder (111)-Richtung des Kristalls).
Zur Vermeidung dieses Effekts wird der Ionenstrahl zur senkrechten Achse geneigt eingestrahlt und zwar um etwa 7° bei (100)-, bzw. 11° bei (111)-orientierten Wafern. Alternativ kann die Oberfläche auch mit einer Oxidschicht überzogen werden, die den gerichteten Strahl streut.
Abb. 23: Verdeutlichung des Channeling-Effekts im Kristallgitter