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[ivory-search id="23885" title="Default Search Form"]

Oxidation im Abscheidungsverfahren

Bei den bisher erläuterten Verfahren der thermischen Oxidation wird das Oxid bei einer Reaktion mit dem Substrat erzeugt, das dabei abgebaut wird. Diese Techniken finden daher Anwendung, wenn eine Oxidschicht direkt über dem Silizium-Material benötigt wird, nicht aber über Metallschichten. In dieser Situation ist ein Abscheidungsverfahren gefragt, bei dem das Silizium ebenfalls über das umgebende Gas zugeführt wird.

Der Silan-Pyrolyse und der TEOS-Abscheidung kommt dabei die größte Bedeutung zu.