Kontakte zwischen Metallisierungsebenen

///Kontakte zwischen Metallisierungsebenen
  • Kontakte zwischen Metallisierungsebenen

    Im Anschluss an die Einebnung der scharfen Übergänge auf dem Wafer kann nun eine Metallebene abgeschieden werden. Gegebenenfalls wird dazu zunächst eine Oxidschicht aufgebracht, um bereits vorhandene Metalllagen zu isolieren.

    Zur Kontaktierung der darunterliegenden Struktur, werden vor der Metallisierung Löcher geätzt, die in einem eigenen Schritt häufig mit Wolfram wieder geschlossen werden.

    Die Wolfram-Abscheidung findet im CVD-Verfahren mit dem Gas Wolframhexafluorid WF6 unter Zugabe von Silan SH4 statt. Das Metall lagert sich dabei nur auf dem freigelegten Siliziumsubstrat in den Kontaklöchern, nicht aber auf der Oxidschicht an.

    Folgende Gleichung beschreibt die Reaktion des Gasesgemisches, in dessen Folge Wolfram isoliert wird und selektiv zunächst in einer dünnen Schicht abgeschieden wird:

    4WF6 + 3SiH4 -> 4W + 3SiF4 + 12HF

    Unter Beimischung von Wasserstoffgas werden dann die Kontakte vollständig aufgefüllt:

    WF6 + 3H2 -> W + 6HF

    Nach diesem Schritt kann nun eine Metalllage abgeschieden und strukturiert werden, die dann für weitere Lagen gegebenenfalls erneut eingeebnet wird.