• n-Dotierung

    Hierbei werden durch Einbringen von Fremdatomen mit überschüssigen Valenzelektronen negative Ladungsträger im Halbleiter erzeugt. Die vierwertigen Elementhalbleiter Silizium und Germanium beispielsweise versieht man mit dem fünfwertigen Phosphor. Bei der Kristallbindung wird pro Dotieratom also ein Elektron nicht benötigt, das daher ohne großen Energieaufwand über den ganzen Kristall bewegt werden kann.
    In diesem Typ von Halbleiter bezeichnet man die Elektronen, da sie in der Überzahl vorhanden sind, als Majoritätsladungsträger. Die Löcher, die dagegen nur durch thermische Anregung erzeugt werden, heißen hier Minoritätsladungsträger. Aufgrund ihrer Tendenz, Elektronen für den Leitungsprozess abzugeben, nennt man die Dotieratome hier Donatoren.

    Abb. 8: n- Dotierung am Beispiel von Silizium

    Aus Sicht der Theorie der Energiebänder erzeugt man in einem n-dotierten Halbleiter freie Ladungsträger im Valenzband.