Das B2B Portal der Halbleiter- und Mikroelektronikbranche
[ivory-search id="23885" title="Default Search Form"]

Aufbringen der Lackschicht

Dazu müssen die Wafer zunächst kurzzeitig erhöhter Temperatur ausgesetzt werden, um aus der Umgebung aufgenommene Feuchtigkeit vom Wafer abzudampfen. Dies ist nötig, da oberflächennah im Wafer gebundener Wasserstoff die Haftung des Lacks behindert.
Danach wird als Untergrund ein Haftvermittler aufgetragen. Dazu wird in der Regel Hexamethyldisilazan (HMDS) verwendet, das als Dampf über den Wafer geleitet wird und diesen ganzflächig überzieht.

Dieser Haftvermittler bindet sich an den auch nach dem Ausheizen verbliebenen OH-Verbindungen und löst dabei den abstoßend wirkenden Wasserstoff, der dann als Gas in die Umgebung abgegeben wird.

Zum ganzflächigen Aufbringen des Lackes wird dieser im Zentrum des Wafers aufgetropft, der daraufhin in Rotation versetzt wird. Dadurch verteilt sich das Material und bedeckt den Wafer in einer gleichförmigen Schicht. Die Schicht ist dabei umso dünner, je schneller der Wafer rotiert.

Da der Lack in diesem Verfahren verfließen muss, wird er mit Lösungsmittel und Wasser gemischt. Um diese Zusatzmittel danach zu großen Teilen auszudampfen, werden die Wafer einer Temperatur von etwa 100°C ausgesetzt (Dieser Schritt wird „Pre-bake“ genannt). Für das anschließende Belichtungsverfahren darf der Lack jedoch nicht vollständig ausgetrocknet werden.