Reflow-Rückätzen

  • Reflow-Rückätzen

    Mit diesem Verfahren werden Kanten einer Kontaktstruktur zum Aufbringen einer weiteren Verdrahtungsebene eingeebnet. Dazu wird auf den Wafer zuerst eine Schicht aus Siliziumdioxid abgeschieden, deren Dicke größer ist, als die größte Stufe auf der Oberfläche. Danach wird eine Schicht aus Lack oder Polyimid aufgebracht, die bei erhöhter Temperatur verfließt und daher die scharfen Übergänge der bisher aufgebrachten Schichten abrundet. Nun wird dieses Material mit geeigneter Ätzlösung gleichmäßig abgetragen, so dass die Kontakte wieder zu Tage treten, diese aber nun am Rand durch den verbleibenden Rest der Oxidschicht weich auslaufen.

    Abb. 41: Die einzelnen Schritte beim Reflow-Rückätzen. Es verbleibt ein Metallkontakt, der mit der restlichen Oxidschicht sanft ausläuft.

    Ein vereinfachtes Verfahren ergibt sich durch die Beschichtung mit sog. Spin-On-Glas. Dieses Material wird zunächst flüssig auf den Wafer aufgebracht und nach dem Verfließen bei erhöhter Temperatur ausgehärtet. Der Ätzprozess wie oben kann dann direkt mit dieser einzelnen Schicht angewendet werden.