Hierzu verwendet man eine evakuierte Anlage, in der das unter Normalbedingungen flüssige TEOS (Tetraethylorthosilikat SiO4C8H20) verdampft. Dieses Gas trägt die benötigten Ausgangsstoffe Silizium und Sauerstoff, die bei 750°C separiert werden und sich darauf in Form von Siliziumdioxid auf den Wafern ablagern. Die verbleibenden Restgase müssen abgeführt werden. Bei diesem Verfahren werden Oxidablagerungen mit etwas besseren elektrischen Eigenschaften und zudem hoher Reinheit erzeugt. Die Druckverhältnisse sowie die Prozesstemperatur beeinflussen die Homogenität des Wachstums.
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