• p-Dotierung

    In diesem Fall wird ein Dotierstoff verwendet, der für die Kristallbindung zu wenige Elektronen liefert. Das fehlende Elektron bezeichnet man als Loch. Auch durch diese Methode wird der Halbleiter leitfähig, da die Elektronen durch Hüpfen von einem Loch zum nächsten Ladung bewegen. Effektiv entspricht dies einem Transport von Löchern als positive Ladungsträger.

    Für Silizium und Germanium bringt man in diesem Fall z.B. Bor-Atome in den Kristall ein.

    Diesmal bezeichnet man die Löcher als Majoritätsladungsträger, da sie gegenüber den Elektronen stark überwiegen. Die verwendeten Dotieratome nennt man Akzeptoren, da sie für die optimale Bindung Elektronen aufnehmen wollen.

    Abb. 9: p-Dotierung am Beispiel von Silizium

    In der Bändertheorie spricht man von erzeugten Löchern im Valenzband, die sich analog zu Elektronen im Leitungsband bewegen, jedoch positive Ladung tragen.

    Zu einer merklichen Veränderung der Leitungseigenschaften genügen schon sehr geringe Dotierstoff-Konzentrationen (für viele Anwendungen reicht eine Konzentration von einem Dotieratom pro 107 Halbleiter-Atomen).