Interferometrie

  • Interferometrie

    Bei der Bestrahlung des Wafers mit Licht wird ein erster Anteil direkt am Oxid, der eindringende Anteil erst am Silizium Substrat zurückgeworfen. Das insgesamt reflektierte Licht besteht daher aus zwei Komponenten, die unterschiedlich lange Wege zurückgelegt haben (Abb. 29). Die Intensität des resultierenden Lichts, dessen Ausbreitung als elektromagnetische Welle beschrieben wird, ergibt sich durch Addition der einzelnen Wellen, bei der aber die gegenseitige Phasenverschiebung berücksichtigt werden muss. Das bedeutet, dass die Wellen sich auslöschen, falls sie durch den Laufzeitunterschied in entgegengesetzter Phase schwingen, sich aber maximal verstärken, falls sie in der Phase übereinstimmen (in Abb. 30 dargestellt).

    Abb. 29: Reflektion am oxidbeschichteten Wafer

    Abb. 30: Überlagerte Lichtwellen

    Bei eingestrahltem Licht mit breitem Spektrum resultieren daher für die unterschiedlichen Wellenlängen verschiedene Intensitäten. Das somit entstehende Farbbild, das man Interferenzmuster nennt, hängt von der Schichtdicke ab, die sich daher mit photometrischen Methoden bestimmen lässt.