Eigenschaften der Ionenimplantation

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  • Eigenschaften der Ionenimplantation

    Zusammenfassung der Eigenschaften der Ionenimplantation

    Bei dieser relativ aufwändigen und teuren Technik, die im Vakuum ablaufen muss, wird jeder Wafer einzeln bearbeitet. Wegen ihrer großen Vorteile, die im Folgenden zusammengefasst sind, wird sie aber mittlerweile standardmäßig angewendet:

    • Es kann nahezu jeder beliebige Dotierstoff in hoher Reinheit sehr präzise kontrolliert in das Halbleitermaterial eingebracht werden. Es lässt sich sowohl die deponierte Menge als auch deren Eindringtiefe beeinflussen.
    • Der Vorgang läuft bei Raumtemperatur ab, womit eine Diffusion der eventuell bereits eingebrachten Dotierstoffe unterbunden ist.
    • Zur Maskierung kann einfach ein Fotolack dienen.
    • Die Maske blendet die auftreffenden Ionen scharf aus, sie können nur in geringer Konzentration unter die Maske gelangen, falls sie durch Stöße abgelenkt werden.

    Je nach Stärke des erzeugten Ionenstrahls unterscheidet man:
    Mittelstromimplanter die einen Strom bis zu 5 mA bei Teilchenenergien bis zu 900 keV ermöglichen und Hochstromimplanter mit denen Ströme von 30 mA bei der Energie von 200 keV erreicht werden können.