Trockene Oxidation

  • Trockene Oxidation

    Bei dieser Technik wird das Substrat mit purem Sauerstoff umspült, wodurch an der Substratoberfläche folgende Reaktion abläuft:

    Si + O2 -> SiO2

    Für beschleunigtes Oxidwachstum lässt man den Prozess bei Temperaturen über 1000°C ablaufen, wobei für dünne Schichten tiefere Temperaturen gewählt werden können.

    Die Schicht wächst im Vergleich zu anderen Verfahren relativ langsam, dafür aber mit hoher Dichte an. Dadurch werden die Ansprüche guter Stabilität gegenüber hohen elektrischen Feldern erfüllt, die zum Beispiel beim Gateoxid eines MOSFET gefordert sind.