Die Entwicklung kann in einem Tauch- oder Sprühverfahren erfolgen. Im Tauchverfahren versenkt man mehrere Wafer gleichzeitig in der Entwicklerlösung, wogegen beim Sprühverfahren die Wafer einzeln unter Rotation besprüht werden. Im Anschluss wird mit Reinstwasser die Entwicklerlösung abgewaschen.
Da die Lösung im Sprühverfahren nicht zur mehrmaligen Entwicklung dient, wie im Tauchbecken, ist das Verfahren wegen der konstanten Zusammensetzung der Lösung sehr verlässlich. Zudem werden dadurch auch Verunreinigungen vermieden.
Die Entwicklerlösung entfernt je nach Typ des Lacks, belichtete bzw. unbelichtete Teile des Lacks. Bei der Belichtung setzt in einem Positiv-Lack eine Reaktion ein, in der der Sensibilisator zu einer Säure wird. Diese kann nun in Natronlauge unter Bildung von Salz reagieren, das sich nun in der Entwicklungsflüssigkeit löst.
Die Reaktion lässt sich wie folgt beschreiben:
R-COOH + NaOH -> (R-COO)- + Na+ + H2O
R steht hierbei für eine in ihrer Zusammensetzung hier unwichtige Restgruppe.
Nachteilig bei der Verwendung von Natronlauge aber auch Kaliionen-haltigen Lösungen ist, dass dabei Verunreinigungen durch Ionen zurückbleiben können. Man verwendet aus diesem Grund oft z.B. Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH), da diese Lösung keine Metall-Ionen enthält.
Der strukturierte Lack wird nun bei erhöhter Temperatur endgültig ausgehärtet (Hard-Bake).