Hierfür werden die Gase Sauerstoff und Wasserstoff separat in die Apparatur eingeleitet, wo sie beim Einströmen kontrolliert verbrennen und daraufhin für die Oxidation des Siliziums mit schnellem sehr reinen Schichtwachstum sorgen. Entscheidend ist die richtige Proportionierung der beiden Gase, um eine schlagartige Explosion zu verhindern. Da auch bei vergleichsweise geringen Temperaturen (über 600°C) eine hohe Wachstumsrate erreicht werden kann, erweist sich diese Technik als vorteilhaft, wenn bereits eingebrachte Dotierstoffe nicht durch hohe Temperaturen gestört werden dürfen.
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