Chemisch-mechanisches Polieren

///Chemisch-mechanisches Polieren
  • Chemisch-mechanisches Polieren

    Anders als bei den zuvor beschriebenen Methoden erzeugt man mit dieser Technik eine vollständig plane Schicht auf dem Wafer. Dazu wird eine Oxidbeschichtung aufgebaut, deren Dicke größer als die höchste Erhebung der zuvor aufgebrachten Struktur ist. Diese Schicht wird dann durch Polieren eingeebnet.

    Der Wafer wird dazu durch Unterdruck mit der bearbeiteten Oberfläche nach unten an einen Halter (Carrier, Chuck) angezogen, mit dem er in Rotation versetzt und mit Druck über einen Poliertisch geführt wird, der sich ebenfalls dreht (in gleicher oder auch in entgegengesetzter Richtung). Man verwendet ein Poliermittel (Slurry) mit chemischen Stoffen, die unter Druck mit der Oxidoberfläche reagieren und so die Abtragung beschleunigen.

    Mit dieser Technik lässt sich die Waferoberfläche sehr genau einebnen. Doch kommt sie nicht häufig zum Einsatz, da sich der Produktionsablauf deutlich verkompliziert.