Ionenstrahlätzen

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    Hierbei erfolgt der Materialabtrag rein physikalisch durch Beschuss mit hochenergetischen Teilchen. Dazu werden Argonionen in einem gezielten Strahl auf den Wafer geschossen, wo sie das Material freischlagen. Es handelt sich daher um ein vollkommen anisotropes Ätzverfahren, bei dem der Materialabtrag ausschließlich senkrecht zur Waferoberfläche fortschreitet. Allerdings wird dabei jegliches Material abgetragen, so dass keine hohe Selektivität zu einer Maskierungsschicht erreicht werden kann. Das ausgeschlagene Material wird in Form feiner Partikel abgesaugt, die zum einen die Anlage verunreinigen, allerdings auch an Kanten auf der Waferoberfläche anhaften können.

    Daher wird der Gasatmosphäre eine zusätzliche Komponente beigemischt, die nach erfolgter Stoßanregung mit den hochenergetischen Argonionen in Reaktion mit der Waferoberfläche tritt. In der chemischen Reaktion wird das Material dadurch gelöst und verlässt die Oberfläche als Gas. Dieses erweiterte Verfahren, das man chemisch unterstütztes Ionenstrahlätzen nennt, ermöglicht bei geeigneter Wahl des beigemischten Gases eine erhöhte Selektivität. Doch ist es auch aufgrund geringer Ätzgeschwindigkeit anderen Verfahren unterlegen, von denen es daher weitestgehend abgelöst wurde.

    Abb. 49: Anlage zur Realisierung des Ionenstrahlätzverfahrens