• Silan-Pyrolyse

    Bei dieser Technik wird zu dem für die Oxidation nötigen puren Sauerstoff das stark toxische Silan SiH4 verwendet. Die Konzentration dieses Gases muss durch Beimischung von Stickstoff oder Argon unter der Grenze von 3% gehalten werden, da es sonst in der Sauerstoffatmosphäre explodiert. Die Bildung des Siliziumoxids in der Atmosphäre der genannten Gase erfolgt nach der Reaktionsgleichung:

    SiH4 + O2 -> SiO2 + 2H2

    Die Ausgangsstoffe werden bei der nötigen Umgebungstemperatur von etwa 400°C also getrennt (das bezeichnet der Begriff Pyrolyse), woraufhin sich das Siliziumdioxid bilden und auf dem Wafer niederschlagen kann. Es entsteht allerdings nur eine minderwertige Oxidschicht mit niedriger Durchbruchsfeldstärke. Die für den Abscheidungsvorgang benötigte Temperatur kann herabgesetzt und damit die elektrischen Eigenschaften des Oxids verbessert werden, indem man die Reaktion durch hochfrequente elektromagnetische Anregung eines Plasmas bei 300°C unterstützt.