Bei den vorangegangenen mechanischen Prozessen wurden Kristallschädigungen am Halbleitermaterial verursacht, die nun mit einem nasschemischen Ätzschritt entfernt werden sollen. Dabei werden weitere 50mm der Oberfläche abgebaut, was durch Tauchen der Scheiben in eine Lösung mit Salpeter und Flüsssäure geschieht.
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