Diese mittlerweile zur Siliziumdotierung kaum mehr verwendete Technik soll hier nur kurz erwähnt bleiben. Dabei wird eine Schicht z.B. aus Aluminium auf das Substrat aufgebracht, die dann bei einer Temperaturerhöhung zusammen mit oberflächennahem Silizium aufgeschmolzen wird. Nach dem Abkühlen verbleibt somit eine p-dotierte Schicht an der Oberfläche.
Bei dieser Technik besteht jedoch die Gefahr der Entstehung von Rissen zwischen dem Substrat und der aufgebrachten dotierten Schicht.
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