Da das Siliziumoxid für sichtbares Licht transparent, die Siliziumoberfläche jedoch reflektierend ist, kann man durch Lichteinstrahlung und Untersuchung des zurückgeworfenen Lichts Auskunft über die aufgetragene Schichtdicke gewinnen. Damit ist eine laufende Kontrolle des Ablaufs einer Schichtätzung oder –abscheidung durch Dickenmessung und Vergleich an mehreren Stellen auf dem Wafer möglich (normal misst man bei 150 mm Wafern an 5, bei 200mm Wafern an 9 Referenzpunkten).
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